前言

科技快速進步，電子半導體的開發(fā)及應用，往往會應產(chǎn)品的需求而相對提高成品組合間的品質(zhì)，如:阻抗、阻抗率。目前在半導體業(yè)間常需要此阻抗、阻抗率的數(shù)據(jù)來了解其相互之間問題。由於以傳統(tǒng)的方式來測量需要耗費人力、物力及大量時間去套入公式以求得結(jié)果，造成檢測中一大困擾，因此，日東精工分析科技便研發(fā)了更方便的測量儀器來解決，不用再計算繁瑣的公式了。符合了國際間的ISO 1853、ISO 2878、ASTM D991、JIS K 7194、JIS R 1637。

1-1 概念
Resistance阻抗：阻抗被用於不同狀態(tài)和物質(zhì)性質(zhì)，是做阻抗是隨物質(zhì)形狀、大小、測定位置不同而變化。
Resistivity阻抗率：阻抗率乃為阻抗（Ω）乘以阻抗率校正因數(shù)（RCF）而來，通常，它要經(jīng)過一番努力煩瑣的計算出校正因數(shù)後，才能換算得知。而日東精工微電腦阻抗率計能於短時間內(nèi)輕易的精確處理出物質(zhì)阻抗率。
阻抗：測值會隨條件變化的。
阻抗率：是對絕對值，對每個物質(zhì)來說它只有一個測值。
例：測量黃金時

Resistance（Ω）
2.4× 10-8 Ω big< 2.4× 10-6 Ω bigger< 2.4× 10-2 Ω

Resistivity（Ωcm）
2.4× 10-6 Ωcm changeNo.＝ 2.4× 10-6 Ωcm changeNo.＝ 2.4× 10-6 Ωcm

“Ω”or“Ωcm”- which will you use for evaluating materials?

“Resistivity” is a simple index for classifying all the materials in the world.

1-2 阻抗（Resistance）和阻抗率計（Resistivity）之間的關(guān)係

～關(guān)鍵在阻抗率校正因數(shù)（RCF） ～
♦ Resistance阻抗（R），阻抗=電阻
當一個電流（I）流穿一物質(zhì)，其電的阻抗乃緣由入口與出口間有一電位差（V）造成，故以公式表此關(guān)係即歐姆定律(Ohm’s law)。
阻抗R（Ω）=V[V]/I[A]

♦ Volume Resistivity體積阻抗率（ρν），阻抗率=電阻係數(shù)
表示物質(zhì)每單位體積之阻抗。
“體積阻抗率”也叫做”特殊阻抗Specific Resistance”或”阻抗率”
“體積阻抗率”是大部分利用於物質(zhì)方面之用詞；
“特殊阻抗”是共通於電學方之用詞；
“阻抗率”常被用在物理學方面之用詞。
體積阻抗率 ρν [Ωcm] ＝R [Ω] × RCF× t
此單位“Ωcm”讀為“厘米歐姆”每一物質(zhì)為有一單一特性值為體積阻抗率。

※Condductivity電導率（σ）
電導率是體積阻抗率的相反，它又被叫“電的電導率”或“電導係數(shù)”。
電導率 σ [ /cm ]＝1/ρν，此單位是“S/cm”讀做每厘米西門子。

♦ Surface Resistivity表面阻抗率（ρs）

表示物質(zhì)每單位表之阻抗。
“表面阻抗率”也叫做“單張阻抗”其單位為“Ω”。然而為了要和阻抗（Resistance）區(qū)分，所以被寫為“Ω/□”或“Ω/sq”讀為“每歐姆平方”。
表面阻抗率因材質(zhì)厚度不同而變化，所以通常被利用於塗裝或薄膜方面，相反的，它可被利用於厚度的判斷指標。
表面阻抗率 ρ[ Ω/sq ] ＝ R[ Ω ] × RCF ＝ ρν× 1/t

♦ Resistivity Correction Factor阻抗率校正因數(shù)（RCF）
通常以金屬電極（4針探頭）固定於樣品表面以測得阻抗。
阻抗乘以阻抗率因素而計算出體積阻抗率及表面阻抗率。 阻抗因數(shù)是依電極之形號、尺寸、內(nèi)針距離或樣品之形狀、尺寸，測定位置而被確定求出。
利用Poisson’s方程式可精確的求出於電磁學的確定電位。

1-3 阻抗率之計算 [傳統(tǒng)方法]
～阻抗率是物質(zhì)之絕對值～